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    HMC606、HMC606LC5为GaAs InGaP HBT MMIC分布式放大器，其典型小信号增益为13.5dB，中波段下输入和输出回波损耗为20dB。与基于FET的同类分布式放大器相比，这两款放大器的相位噪声性能有很大改进。

    当在输入端加频率为4GHz的-1dBm信号时，HMC606和HMC606LC5的相位噪声分别为-153dBc/Hz@1kHz和-157dBc/Hz@1kHz,偏移量为10kHz；在输入端加频率为12GHz的-2dBm输入信号，HMC606和HMC606LC5的相位噪声分别为-151@1kHz和-160dBc/Hz@1kHz，偏移量为10kHz。HMC606和HMC606LC5的中波段噪声系数为4.5dB、输出P1dB/+15dBm。因其所采用的偏置拓扑，仅从单个+5V电源消耗64mA电流。

    HMC606和HMC606LC5适用于频率合成器应用，也可与Hittite的一系列倍频器和VCO产品协同架构高性能LO分布式和多用途链路。HMC606LC5采用5×5mm陶瓷无引线表面贴着封装，适用温度等级为-40℃-+85℃。有适用于混合型MIC和MCM组件应用的HMC606 die(芯片)，其适用温度等级为-55℃-+85℃。Die、SMT和评估PC板现皆有库存。